日本AVC 超高真空表面分析裝置 日本AVC 超高真空表面分析裝置

產(chǎn)品概述

核心特點(diǎn)

• 多技術(shù)集成分析：搭載 LEED/AES 質(zhì)譜儀，可同時(shí)實(shí)現(xiàn) LEED 衍射像分析（表面晶體結(jié)構(gòu)表征）、俄歇電子能譜分析（表面元素成分與價(jià)態(tài)分析），結(jié)合升溫脫附分析，全面解析表面物理化學(xué)特性。

• 超高真空環(huán)境保障：分析室真空度可達(dá) 10??Pa 級（標(biāo)配 TMP 排氣），可選配 IP 排氣系統(tǒng)升級至 10??Pa 臺，避免外界氣體干擾，確保表面分析的準(zhǔn)確性與可靠性。

• 樣品制備與處理能力：配備超高真空蒸發(fā)源（AEV 系列）與氫氣裂解，支持金屬薄膜制備與表面活化處理；采用直接通電加熱式樣品架，適配不同樣品的加熱需求。

• 高精度樣品操控：樣品操縱器支持 X、Y、Z、θ 及面內(nèi)旋轉(zhuǎn)軸的 5 軸操作，可實(shí)現(xiàn)樣品的精準(zhǔn)定位與多角度分析，滿足復(fù)雜表面表征需求。

• 自動化操作流程：標(biāo)配全自動排氣控制系統(tǒng)與觸摸屏操作界面，簡化超高真空系統(tǒng)的啟停與維護(hù)流程；配備樣品裝載鎖機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)樣品快速導(dǎo)入與分析。

核心配置與技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用場景

• 半導(dǎo)體材料研究：晶圓表面晶體結(jié)構(gòu)表征、薄膜成分分析、界面反應(yīng)動力學(xué)研究，助力半導(dǎo)體工藝優(yōu)化與材料性能提升。

• 模型催化劑研發(fā)：催化劑表面活性位點(diǎn)分析、反應(yīng)中間體表征、催化反應(yīng)機(jī)理研究，為新型催化劑開發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。

• 表面科學(xué)基礎(chǔ)研究：金屬表面重構(gòu)、吸附動力學(xué)、表面反應(yīng)路徑等基礎(chǔ)物理化學(xué)過程的多維度表征。

• 材料表面改性評估：薄膜沉積工藝效果驗(yàn)證、表面處理前后成分與結(jié)構(gòu)變化分析，優(yōu)化材料表面改性方案。