日本 西雅衣家 加熱易潮材料晶體生長設備 日本 西雅衣家 加熱易潮材料晶體生長設備

1. 產品概述

H-01 是 C&A 推出感應加熱式 Bridgman 布里奇曼單晶生長爐，基于垂直下降法工藝，專門針對鹵化物、閃爍晶體、紅外光學等極易吸潮、易氧化材料開發。

設備采用可拆卸式密閉生長腔體，可在常規實驗室環境下完成防潮晶體生長；射頻感應線圈位置可自由調節，精準匹配原料所需溫場梯度；整機搭載自動數據存儲系統，完整記錄溫度、下拉速度、氣氛全流程參數，支持本地觸摸屏、上位電腦雙模式操控，廣泛用于紅外探測、輻射閃爍、特種半導體晶體科研小批量制備。

2. 設備工作原理

5~10kW 射頻感應線圈對密封坩堝進行電磁感應升溫，將高純易潮原料在密閉腔體中熔融；伺服機構勻速向下移動坩堝，熔體沿溫度梯度緩慢定向凝固生成完整塊狀單晶；可拆卸腔體便于快速密封裝填吸潮原料，隔絕空氣水汽；可移動射頻線圈上下調整，優化固液界面溫度梯度，減少晶體裂紋、組分偏析；系統全程自動采集并保存溫度、位移、速度時序數據，可實時調取、導出用于工藝復盤。

3. 核心規格參數

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參數項目H-01 Bridgman 單晶爐技術指標

RF 射頻電源功率5 ~ 10 kW 可調區間

極限最高溫度1000 ~ 1500℃（由加熱源與坩堝材質決定）

單晶下拉速度0.01 ~ 200 mm/min 連續可調

感應振蕩頻率固定 50 kHz

供電規格三相 200V ±10%，50/60Hz 工業電源

工藝控制方式7 寸觸摸屏本地獨立控制 / PC 電腦遠程編程控制

腔體結構可拆卸式密閉生長腔體，適配易潮原料無水操作

溫場調節結構軸向可移動射頻感應線圈，自由優化結晶溫梯

數據記錄整機系統自動全程存儲全部生長工藝曲線數據

4. 整機硬件配置

（1）標準出廠標配

5~10kW 射頻感應加熱主機、軸向可移動水冷感應線圈總成

可拆卸密封式生長腔體、透明防護外框、無水無氧裝填工位

高精度伺服垂直下降機構，0.01mm/min 低速穩定輸出

內置大容量工藝數據存儲單元，完整記錄全流程時序曲線

一體式電控操作臺：觸控顯示屏、閉環溫度控制模塊、安全聯鎖保護

Windows 上位機測控軟件，工藝編輯、曲線導出、歷史數據查詢

（2）可選拓展配件

無水無氧手套箱對接套件，全程隔絕水汽裝填原料

多路 MFC 高精度氣氛控制器，惰性 / 還原氣氛精準配比

前置真空機組，實現高真空密閉生長環境

各類耐腐蝕、防潮專用坩堝（石英、鉑、石墨、氮化硼）

遠程數據監控終端、尾氣處理裝置、腔體露點監測模塊

5. 核心應用與可制備單晶品類

典型應用場景

紅外探測、輻射成像用鹵化物、溴化物、碘化物易潮單晶；

高能輻射探測閃爍晶體、紫外 / 紅外非線性光學晶體研發；

易吸潮半導體、離子晶體定向凝固生長工藝探索；

高校、光電科研院所新材料配方、溫場、下拉速度正交試驗。

代表制備材料

CsI、NaI、溴化鑭、鹵化物紅外晶體、氟化物閃爍單晶、低熔點易潮光學功能晶體。

6. 六大核心產品優勢

可拆卸密閉腔體：專為吸潮原料設計，常規實驗室環境即可完成無水裝填，大幅降低原料水解報廢率；

可移動射頻感應線圈：軸向自由調整位置，精準優化結晶界面溫度梯度，抑制組分偏析與開裂；

寬幅下拉速度區間：0.01mm/min 極低低速適配精細定向凝固，200mm/min 高速滿足快速工藝篩選；

全流程自動數據記錄：溫度、位移、速度時序曲線本地自動存儲，無需人工記錄，工藝可復現、可追溯；

雙模式便捷操控：觸摸屏單機獨立運行，電腦上位機批量編輯多段復合生長程序；

中小功率適配低熔點晶體：5~10kW 射頻功率，溫控精度高，能耗更低，適配 1500℃以內鹵化物、閃爍晶體。

7. C&A 全系列單晶生長設備產品線區分對比

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設備型號生長工藝射頻功率極限溫度核心適用場景

H-01（本品）Bridgman 布里奇曼下降法5~10 kW1000~1500℃易潮鹵化物、閃爍晶體、低熔點紅外塊狀單晶

C-01CZ 直拉丘克拉斯基法40 kW2100℃大尺寸氧化物激光、藍寶石塊狀單晶

O-01μ-PD 微下拉纖維單晶法20 kW2500℃細徑單晶光纖、超高熔點特種纖維晶體

8. 使用注意事項

1500℃溫度上限受坩堝與射頻功率限制，鹵化物原料長期穩定使用建議≤1300℃；

處理極易潮解碘化、溴化物晶體時，建議選配手套箱對接組件，全程隔絕空氣水汽；

腔體每次開合后需充分抽真空置換惰性氣體，避免殘留水汽污染熔體；

低速生長階段需定期校準伺服原點，防止坩堝偏移造成單晶徑向尺寸不均；

射頻線圈必須持續開啟水冷，長時間高溫運行嚴禁斷水，避免線圈氧化燒損。