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PRODUCT CLASSIFICATION
產(chǎn)品分類產(chǎn)品展示/ Product display
日本AVC 小型超高真空MBE系統(tǒng)設(shè)備日本 AVC 小型超高真空 MBE 系統(tǒng)，專為半導體及太陽能電池薄膜制備研發(fā)，可實現(xiàn) 3 英寸以內(nèi)基板的潔凈外延生長，10??Pa 級真空環(huán)境，配備 8 端口蒸發(fā)源與實時分析模塊，無需破真空即可完成基板傳輸。
產(chǎn)品型號：標準型廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2026-05-09訪 問 量：174
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日本AVC 小型超高真空MBE系統(tǒng)設(shè)備 日本AVC 小型超高真空MBE系統(tǒng)設(shè)備
超高真空潔凈環(huán)境：成膜室真空度可達 10??Pa 級，采用 IP/TSP 排氣系統(tǒng)，可選配 LN?冷卻屏蔽罩，有效降低背景雜質(zhì)污染，保障薄膜生長質(zhì)量。
多源集成與基板適配：配備 8 端口蒸發(fā)源，支持 K-cell、EB、等離子體氣體源等多種可選配置；兼容 3 英寸以內(nèi)基板，自帶旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，基板加熱 / 冷卻功能可按需選配。
高效基板傳輸設(shè)計：搭載超高真空傳輸機構(gòu)與載荷鎖室，無需破壞主真空環(huán)境即可完成基板裝卸，大幅提升實驗效率與設(shè)備利用率。
實時監(jiān)測與分析能力：可選配 RHEED 裝置、高精度溫度監(jiān)測器 BandiT 及薄膜應(yīng)變 / 應(yīng)力監(jiān)測器 MOS，實現(xiàn)薄膜生長過程的原位監(jiān)控與質(zhì)量評估。
| 項目 | 參數(shù) / 說明 |
|---|---|
| 成膜室真空度 | 10??Pa 級，IP/TSP 排氣系統(tǒng)（可選 LN?屏蔽罩） |
| 蒸發(fā)源端口 | 8 端口，支持 K-cell、EB、等離子體氣體源等多種可選配置 |
| 基板適配 | ~3 英寸，帶旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；加熱 / 冷卻功能可選配 |
| 基板傳輸 | 超高真空傳輸機構(gòu)，緩沖室配備 300l/s 磁懸浮 TMP 排氣系統(tǒng) |
| 可選分析模塊 | RHEED 裝置 + kSA400 解析系統(tǒng)、BandiT 溫度監(jiān)測器、MOS 應(yīng)力監(jiān)測器 |
半導體薄膜研發(fā)：化合物半導體、二維材料外延生長，用于器件性能優(yōu)化與新型材料開發(fā)。
太陽能電池制備：薄膜太陽能電池吸收層、緩沖層生長，提升電池光電轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性。
表面科學研究：薄膜生長動力學、界面反應(yīng)機理研究，為基礎(chǔ)材料科學提供關(guān)鍵實驗平臺。
教學與實驗室應(yīng)用：高校及科研院所薄膜制備實驗教學，支持定制化實驗方案開發(fā)。
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