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日本AVC 超高真空 腔室及脫氣處理設備日本 AVC 超高真空腔室采用 SUS316 復合電解研磨工藝，經 450℃/10h 真空脫氣處理，極限真空度可達 6.6×10?¹?Pa，可定制多端口結構，廣泛應用于半導體、表面科學等對真空環境要求嚴苛的場景。
產品型號：定制型廠商性質：經銷商更新時間：2026-05-09訪 問 量：145
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日本AVC 超高真空 腔室及脫氣處理設備 日本AVC 超高真空 腔室及脫氣處理設備
高潔凈度腔室制造：采用 SUS316 不銹鋼材質，經復合電解研磨處理，內壁光滑度高，可減少氣體吸附與釋放，為后續脫氣處理奠定基礎。
專業真空脫氣處理工藝：在無油排氣系統（TMP + 干泵）下，對腔室進行 150~220℃烘烤（最長 72 小時），或 450℃/10h 高溫脫氣處理，有效抑制材料氣體釋放，極限真空度可達 10??~10?1?Pa 級。
定制化設計與多端口適配：支持多端口結構定制，可根據實驗需求配置法蘭接口，兼容離子泵、吸氣泵、渦輪分子泵等多種排氣系統，滿足不同實驗設備的集成需求。
全流程質量管控：脫氣處理過程中通過殘余氣體分析（Qmass）實時監測，確保腔室內部雜質含量降至，為實驗提供穩定可靠的真空環境。
| 項目 | 參數 / 說明 |
|---|---|
| 腔室材質 | SUS316 不銹鋼，復合電解研磨處理 |
| 脫氣處理工藝 | 450℃/10h 高溫脫氣或 150~220℃烘烤（72 小時） |
| 極限真空度 | 6.6×10?1?Pa（離子泵 + 吸氣泵排氣） |
| 排氣系統配置 | 可選配渦輪分子泵、離子泵、吸氣泵等，無油排氣設計 |
| 腔室定制 | 支持多端口、不同容積（如 8L）定制，兼容多種法蘭標準 |
半導體與薄膜制備：分子束外延（MBE）、化學氣相沉積（CVD）等設備的核心腔室，保障薄膜生長的高潔凈環境。
表面科學研究：LEED、AES、XPS 等表面分析設備的真空腔體，避免外界雜質干擾實驗結果。
粒子物理與航天領域：深空探測樣品分析、粒子加速器等設備的超高真空部件，對環境潔凈度要求。
工業精密實驗：低氣壓下材料性能測試、微量氣體分析等場景，需穩定超真空環境的實驗。
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