日本 HORIBA 堀場 蝕刻終點在線監測光譜儀 日本 HORIBA 堀場 蝕刻終點在線監測光譜儀

1. 產品概述

EV-140C 光發射光譜蝕刻終點監測儀是 HORIBA 面向半導體、FPD、MEMS 等離子工藝推出的在線工藝控制系統。設備采集等離子體特征發射光譜，實時識別反應層刻蝕終點，同時持續監控等離子狀態漂移、腔體污染異常。

搭載Rapture Intensity 信號算法，針對微弱光譜變化場景優化，可穩定識別開口率＜0.2% 的微細蝕刻終點；配套完整 Sigma-P 工藝軟件生態，支持配方自動生成、數據回溯、SPC 統計分析，廣泛集成干法刻蝕、PECVD、等離子清洗設備。

2. 詳細規格參數

表格

參數項目技術指標

光譜波長范圍200 ~ 800 nm

光學結構像差校正平場凹面光柵，焦距 140mm，F/2 亮光學系統

光學分辨率＜2.0 nm（200~500nm）；＜2.5 nm（500~700nm）

內置組件二階衍射濾光片

探測器背照式線性 CCD 圖像傳感器 2048×64 像素

A/D 采樣精度16bit

積分曝光時間20ms ~ 2.5s，步長 10ms

核心算法Rapture Intensity 終點識別算法；Auto Pattern 自動波長檢索

配套軟件Sigma-P；可選配方設計器

采集方式光纖耦合非接觸式采集腔體光譜

3. 產品核心亮點

? F/2 高亮凹面光柵光學系統

采用 HORIBA Jobin Yvon 原廠 70mm 凹面全息光柵，聚光效率更高，減少反射損耗，弱等離子工況依然獲得充足光譜信號。

? 背照式高靈敏 CCD 探測器

2048 通道高分辨率，紫外波段量子效率優異，適合選取干擾少的紫外特征譜線做終點判斷。

? Rapture Intensity 微弱信號檢測算法

可區分噪聲與真實工藝變化，精準捕捉極小開口面積蝕刻終點，顯著提升淺刻蝕、微細結構工藝終點穩定性。

? Auto Pattern 自動波長識別

從海量帶噪聲光譜數據中自動篩選有效特征波長，大幅縮短新工藝配方調試周期。

? 可選配方設計器自動生成檢測方案

導入工藝光譜數據即可仿真、優化終點算法，一鍵導出至 Sigma-P 正式生產配方，降低工程師門檻。

? Sigma-P 一體化制程軟件平臺

支持多條件配方、波形實時顯示、終點判定告警、歷史光譜重處理、SPC 統計制程反饋，兼顧終點控制與腔體健康診斷。

? 光譜數據完整溯源

全程存儲原始光譜，支持事后重新套用新配方仿真分析，便于工藝異常復盤、工藝迭代優化。

4. 典型應用領域

半導體晶圓制造：干法蝕刻、硬掩?？涛g、等離子去膠、PECVD 薄膜沉積終點監控；

顯示面板 FPD：TFT 陣列刻蝕、薄膜處理等離子工藝；

MEMS、功率器件、傳感器微細加工；

存儲芯片、光學器件等離子加工工序。