日本 HORIBA 半導體等離子工藝監測光譜儀 日本 HORIBA 半導體等離子工藝監測光譜儀

1. 產品概述

EV 2.0 SMART OES 終點光譜儀是 HORIBA 專為半導體、MEMS、顯示面板開發的等離子光發射光譜在線監測系統。

設備依靠采集等離子體特征發射光譜，實時識別刻蝕 / 沉積工藝反應終點，同時持續監控腔體異常、污染、工藝漂移，實現終點自動關停、故障預警。支持單腔至多 6 腔室擴展，兼容 OES 光發射監測與 MWL 多波長干涉測量兩種診斷方式，廣泛配套干法刻蝕、等離子清洗、PECVD 薄膜沉積設備。

2. 詳細規格參數

表格

參數項目技術指標

光譜儀光柵消像差凹面全息光柵

分辨率機型可選LR（低分辨）/ STD（標準分辨）/ HR（高分辨）

焦距LR：20mm；STD/HR：75mm

狹縫寬度50μm

探測器BT CCD（濱松 Hamamatsu）

采集電路JY70，16bit 模數采集

曝光時間1ms ~ 10s 連續可調

信號接入方式SMA 光纖耦合，對接工藝腔體觀測窗

硬件接口100Mbps LAN (RJ45 TCP/IP)、Db25 I/O 遠程接口、DC 電源

供電規格DC 9~24V，標準配置 24V DC

最大管控腔室最多 6 個處理腔室

配套軟件Sigma_P®（Windows10 平臺）

軟件功能配方編輯器、多波長算法、終點判定、腔體健康監測、最多 8 條曲線同步顯示

測量模式OES 光發射光譜法 / MWL 多波長干涉測量

產地法國 HORIBA France SAS

3. 產品核心亮點

? 三檔分辨率靈活選型

低 / 標準 / 高分辨率光譜版本，適配不同工藝氣體、特征譜線分離難度，兼顧響應速度與光譜分辨能力。

? 一體化多腔室管控能力

一套主機可擴展監控至多 6 個工藝腔體，降低多腔產線整體設備投入成本。

? 專業 Sigma_P 終點算法軟件

內置等離子特征譜線開放數據庫，可視化配方編輯，可自定義閾值、濾波邏輯，穩定識別工藝終點。

? 豐富外部集成接口

工業 LAN 以太網 + 硬件 I/O 遠程端口，方便對接半導體設備控制器，實現全自動工藝聯動。

? 光纖非接觸式采集

通過 SMA 光纖遠程采集腔體等離子光譜，光譜主機遠離高溫、腐蝕腔體環境，延長設備壽命。

? 雙重測量模式兼容

同時支持 OES 等離子發射監測與多波長干涉（INT）薄膜厚度類干涉檢測，一臺設備適配多類工序。

? 緊湊工業機身，設備配套友好

標準化工業箱體結構，便于集成在真空設備機柜內部，滿足 Fab 車間安裝規范。

4. 典型適用工藝 & 行業

半導體芯片制造：干法刻蝕、等離子清洗、PECVD 薄膜沉積終點偵測；

顯示面板 / FPD：薄膜刻蝕、表面等離子處理工藝監控；

MEMS、傳感器、功率器件；

存儲芯片、邏輯晶圓制造產線；

光伏、光學鍍膜等離子工藝過程監測。