日本 HORIBA 半導體腔室清洗紅外氣體監測儀 日本 HORIBA 半導體腔室清洗紅外氣體監測儀

1. 產品概述

IR-400 系列是 HORIBA STEC 專為半導體干法制程腔室清洗開發的在線紅外氣體監測模塊，包含兩大子型號：

IR-422：雙通道方案，可同時監測 SiF?、CF?兩種氣體；標配 200mm 伴熱氣室

IR-432：緊湊型法蘭集成結構，適配狹小排氣管路安裝

設備安裝于工藝腔室排氣管路，實時分析尾氣反應產物濃度，精準識別腔室清洗終點，避免傳統固定時長清洗帶來的過度清洗或清洗不問題，廣泛應用 PVD、CVD、刻蝕設備。

2. 測量原理

采用成熟非分散紅外吸收法（NDIR）

特定氣體分子吸收對應波長紅外能量，光源穿過加熱氣室后，探測器檢測光強衰減程度換算濃度；一體化伴熱結構防止產物冷凝沉積，保障長期連續監測穩定性。

3. 核心功能亮點

? 雙氣體同步檢測（IR-422）

同時監控 SiF?、CF?，適配硅基薄膜腔體氟系等離子清洗工況。

? 高溫伴熱氣室設計

氣室最高加熱溫度可達 180℃，有效防止反應副產物冷凝吸附，減少光學窗口污染，延長維護周期。

? 高靈敏度光學檢測單元

精準捕捉微量氣體濃度變化，提前識別清洗反應完成拐點，實現終點精準觸發。

? 豐富工業通訊接口

搭載模擬信號 + RS485 數字通訊，無縫對接半導體設備主機、Fab 上位 SCADA 系統。

? 兩種結構形態可選

IR-422 長光程分體結構；IR-432 緊湊型法蘭式，滿足不同排氣管道布局需求。

? 本地狀態多重顯示

機身自帶狀態指示燈，現場快速查看設備運行與濃度監測狀態。

4. 給產線帶來核心價值

縮短腔室清洗循環時間

無需保守設置固定清洗時長，清洗完成即刻結束工藝，提升設備產能 UPH。

大幅減少特種清洗氣體消耗量

避免過度等離子蝕刻，降低昂貴氟系清洗氣體使用成本。

保護腔室內部零部件

減少長時間等離子轟擊，延長電極、內襯、密封圈壽命，降低備件更換頻次。

工藝一致性提升

不受腔體前期沉積厚度波動影響，每批次清洗程度保持一致，提升晶圓工藝穩定性與良率。

完整制程數據追溯

持續記錄尾氣組分曲線，便于工藝開發、異常排查、量產標準化管控。

5. 典型應用場景

硅薄膜 PVD、LPCVD、PECVD 腔室氟等離子清洗終點監控

干法刻蝕腔體尾氣產物在線分析

TFT、光伏薄膜沉積設備腔體清洗監測

化合物半導體、功率器件制造干法制程尾氣檢測