JFE  半導體晶圓非接觸式膜厚分布測量儀器 JFE  半導體晶圓非接觸式膜厚分布測量儀器

產品概述

核心特點

1. 寬量程覆蓋，適配多場景

   設備提供三種機型，覆蓋 50nm~800μm 的膜厚范圍：

• 薄膜機型：50nm~20μm，適配 SiO?膜、濺射膜、光刻膠等；

• 厚膜機型：1μm~100μm，適配晶圓、PET 薄膜、玻璃等；

• 極厚膜機型：20μm~800μm，適配體晶圓、厚涂層等。

2. 高速高精度測量，數據處理高效

   設備搭載算法，可在 2 分鐘內完成 100 萬～400 萬點的膜厚數據采集與計算，兼顧測量效率與數據精度；采用非接觸式測量，避免對樣品造成損傷，適配半導體晶圓等高精度部件。
3. 高分辨率成像，分布可視化

   設備支持高分辨率膜厚分布成像，薄膜機型空間分辨率可達 50μm，厚膜機型可達 80μm，可清晰呈現樣品表面膜厚分布的細微差異，助力工藝缺陷檢測與參數優化。
4. 靈活適配多規格樣品

   支持 4 英寸～12 英寸晶圓、A4 尺寸柔性膜等多種樣品規格，可根據用戶需求提供臺式離線設備或在線設備定制，適配研發實驗室、產線檢測等不同場景。
5. 多層膜測量能力

   支持多層膜結構的膜厚測量，可同時獲取不同層的膜厚數據，滿足半導體器件、復合涂層等復雜結構的檢測需求。

規格參數

主要應用場景

• 半導體行業：晶圓表面 SiO?膜、光刻膠、濺射膜的膜厚分布測量；

• 光學 / 顯示行業：柔性膜、涂層膜、光學薄膜的均勻性檢測；

• 材料行業：液膜、油膜、復合涂層的膜厚分布與缺陷檢測；

• 其他領域：玻璃基板、體晶圓等厚膜結構的膜厚分布測量。