日本 JFE 半導體晶圓高分辨率膜厚測量儀器 日本 JFE 半導體晶圓高分辨率膜厚測量儀器

產品概述

核心特點

1. 超高分辨率測量，適配圖案化膜層

   設備空間分辨率可達約 5μm，能夠清晰呈現晶圓表面圖案化區域的膜厚分布細節，滿足半導體器件中微小結構的膜層均勻性檢測需求。
2. 雙模式測量，兼顧效率與精度

• 局部測量：3mm 方形區域，約 30 秒完成測量；

• 全晶圓測量：支持 6 英寸晶圓全表面檢測，約 10 分鐘完成數據采集與處理；

  20 萬點的測定點數，可在短時間內完成大面積膜厚數據的采集與計算。

3. 緊湊臺式設計，適配實驗室與研發場景

   設備采用可放置于桌面的緊湊型設計，無需大型機臺即可部署，適合半導體研發實驗室、工藝優化場景使用，降低設備部署門檻與場地要求。
4. 寬量程覆蓋，適配薄膜 / 超薄膜檢測

   測量膜厚范圍為 100nm~10μm，覆蓋半導體工藝中常見的超薄膜層（如光刻膠、SiO?膜、濺射膜等），滿足從研發到缺陷檢測的全流程應用。

規格參數

主要應用場景

• 半導體晶圓圖案化膜層的膜厚分布測量；

• 光刻膠、SiO?膜、濺射膜等超薄膜層的均勻性檢測；

• 半導體工藝研發中的膜層缺陷分析與工藝優化；

• 6 英寸晶圓的非接觸式質量控制檢測。