日本 HORIBA 半導體晶圓冷卻背氦壓調節器 日本 HORIBA 半導體晶圓冷卻背氦壓調節器

1. 產品概述

GR-511F 屬于 HORIBA GR-500 系列自動壓力調節器，核心應用于半導體靜電吸盤（ESC）晶圓背面背氦冷卻系統。

晶圓吸附在靜電卡盤表面，依靠氦氣填充晶圓與卡盤微小間隙實現熱傳導控溫；GR-511F 持續穩定間隙冷卻氣壓，抑制氣源波動帶來的壓力漂移，消除晶圓片內溫差，減少刻蝕、薄膜工藝不均、良率波動，適配刻蝕機、PVD、CVD、ALD 等各類工藝設備。

2. 核心功能亮點

? 高精度穩定壓力閉環控制

內置壓力傳感與高速閥控算法，壓力控制精準、響應平穩，持續維持冷卻間隙設定氣壓。

? 可選集成質量流量傳感器

同時監測壓力與流量，便于預判晶圓貼合泄漏、管路堵塞、密封件老化故障。

? 極低泄漏性能

He 泄漏完整性≤7×10?11 Pa?m3/s，滿足半導體高純氣路嚴苛泄漏規范。

? 模擬信號通訊方案

標準模擬信號接口，兼容存量老款半導體設備控制系統，改造集成便捷。

? 優秀配件拓展兼容性

標準 1/4 英寸 VCR 氣路接口，可搭配過濾器、單向閥、壓力傳感器靈活搭建氣路。

? 符合 RoHS 環保標準

滿足晶圓制造工廠 EHS 準入要求。

3. 關鍵規格參數

閥門類型：常閉 C 型

最大工作壓力：300 kPa (A)

耐壓：350 kPa (A)

工作溫度：5~50℃；精度保證區間 15~40℃

供電：±15 VDC，250 mA；功耗 7.5 VA

適用介質：氦氣 He、氬氣 Ar、氮氣 N?

標準接頭：1/4 英寸 VCR

通訊：模擬信號

4. 產線應用價值

提升晶圓溫度均勻性

穩定背氦間隙壓力，減小片內熱阻差異，改善薄膜厚度、刻蝕速率均一性。

降低熱應力引發缺陷

規避氣壓波動造成局部過熱 / 過冷，減少晶圓翹曲、晶格缺陷。

實現冷卻工藝數據可追溯

壓力、流量數據連續采集，支撐工藝開發、量產異常復盤。

提前預警 ESC 吸附異常

流量曲線異常可快速識別晶圓未貼合、密封圈漏氣，減少批量不良。

5. 典型應用場景

干法刻蝕設備 ESC 靜電卡盤背氦冷卻回路

PVD、ALD、LPCVD 薄膜沉積晶圓溫控系統

功率器件、存儲芯片、邏輯芯片制造產線

Mini/Micro LED 刻蝕、外延工藝溫度控制系統