日本 HORIBA 半導體混合注入式液體汽化儀器 日本 HORIBA 半導體混合注入式液體汽化儀器

1. 產品概述

MV-2000 系列為面向半導體薄膜工藝開發的混合注入型液體汽化器，專為各類液體金屬有機前驅體、High-k 介質原料供給設計。

傳統汽化器高溫易造成前驅體熱裂解、產生固態雜質；MV-2000 依靠螺旋流換熱結構，在較低溫度條件下完成充分汽化，保護熱敏化學原料，適配 ALD、CVD、PVD 等薄膜沉積設備氣源系統。

2. 核心工作原理

介質液體與載氣進入螺旋流換熱腔體，液體沿螺旋通道持續擾動換熱，受熱均勻、換熱效率提升；無需大幅提升外壁溫度即可實現汽化，降低液體源熱降解風險，形成穩定飽和蒸汽混合氣輸送至工藝腔。

3. 核心功能亮點

? 螺旋流低溫穩定汽化技術

均勻換熱，降低加熱溫度，抑制熱敏前驅體高溫分解，減少微粒缺陷。

? 支持大流量平穩汽化工況

流量區間寬泛，汽化狀態持續穩定，工藝重復性優秀。

? 適配易熱解、High-k 工藝液體源

覆蓋多種金屬有機、高介電薄膜前驅體材料。

? 優異泄漏性能

外部泄漏≤1×10?? Pa?m3/s (He)，可選超低漏內部氣閥版本。

? 耐腐蝕潔凈流道

過流材質 SUS316L、PFA，適配多數有機液體化學品。

? 標準化 VCR 高純接口

液體入口、載氣入口、蒸汽出口采用半導體行業通用 VCR 接頭，氣路集成便捷。

4. 關鍵規格參數

適用液體：不含 HF、HCl 等強腐蝕不銹鋼介質的各類化學品

溫控上限：控制閥最高 140℃，汽化腔體最高 200℃

耐壓：1MPa (G)

外部泄漏完整性：≤1×10?? Pa?m3/s (He)

內部泄漏：標準≤1×10?? Pa?m3/s；可選超低泄漏閥≤1×10?? Pa?m3/s

接口規格：液體入口 1/8VCR，載氣入口 1/4VCR，氣體出口 1/2VCR

工作環境溫度：15~50℃

5. 典型應用場景

ALD、CVD 半導體 High-k 柵介質、金屬柵薄膜制程

化合物半導體、功率器件前驅體蒸汽供給

存儲芯片、邏輯芯片薄膜沉積工藝

光伏、優良顯示薄膜制備前驅體輸送系統