日本 HORIBA 半導(dǎo)體壓力質(zhì)量流量控制器 日本 HORIBA 半導(dǎo)體壓力質(zhì)量流量控制器

1. 產(chǎn)品概述

D700MG（代表型號(hào) D717MG）是 HORIBA STEC 面向優(yōu)良半導(dǎo)體工藝推出的壓力非敏感型數(shù)字質(zhì)量流量控制器，為 D500MG 升級(jí)兼容產(chǎn)品，歸屬 CRITERION 平臺(tái)。

采用基于壓力測量控制架構(gòu)，不受上下游壓力波動(dòng)干擾；原生支持 EtherCAT 工業(yè)以太網(wǎng)，支持設(shè)備端在線靈活配置參數(shù)，廣泛應(yīng)用晶圓刻蝕、ALD/CVD、薄膜沉積、離子注入等工藝氣體精準(zhǔn)輸送。

2. 核心優(yōu)勢特點(diǎn)

? EtherCAT 在線靈活組態(tài)

支持機(jī)臺(tái)端直接更改氣體種類、全量程參數(shù)，無需返廠標(biāo)定，極大方便工藝研發(fā)與多產(chǎn)品共線生產(chǎn)，提升制程優(yōu)化靈活性。

? 極速動(dòng)態(tài)響應(yīng)

建立時(shí)間≤100ms，實(shí)現(xiàn)多臺(tái) MFC 之間流量偏差精準(zhǔn)抑制，提升工藝均勻性與產(chǎn)能。

? MRMG 小流量增強(qiáng)功能（Bin101~Bin105）

拓寬下限可控區(qū)間，兼顧高低流量工藝需求，一臺(tái)設(shè)備適配更多制程窗口。

? PFA 材質(zhì)噴嘴

優(yōu)異閥門截止性能，耐腐蝕性更強(qiáng)；降低微粒產(chǎn)生風(fēng)險(xiǎn)，減少腔體污染、意外停機(jī)，提升晶圓良率。

? 內(nèi)置完整狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)

持續(xù)采集閥參數(shù)、壓力、溫度等運(yùn)行數(shù)據(jù)，支撐遠(yuǎn)程診斷、預(yù)測性維護(hù)，推進(jìn)智能 fab 運(yùn)維。

3. 關(guān)鍵性能規(guī)格（D717MG）

流量量程檔位：

① 10 SCCM～10 SLM

② 5 SCCM～5 SLM

③ 5 SCCM～1 SLM

控制區(qū)間：0.2~100% F.S/ 0.5~100% F.S/ 2~100% F.S（依量程區(qū)分）

閥結(jié)構(gòu)：常閉型壓電執(zhí)行器

建立時(shí)間：≤100ms

精度（25℃）：±1% SP / ±0.05~0.5% FS（分段）

重復(fù)精度：±0.3% SP

泄漏指標(biāo)：＜0.02~0.1% F.S 或 0.015SCCM (N?)，取較大值

潤濕材質(zhì)：SUS316L、鎳合金、PFA

檢漏標(biāo)準(zhǔn)：≤5×10?12 Pa?m3/s (He)

工作溫度：15～45℃

4. 型號(hào)定位說明

D700MG 是 D500MG引腳 / 安裝尺寸向上兼容換代產(chǎn)品，客戶現(xiàn)有設(shè)備可實(shí)現(xiàn)低成本替換升級(jí)，無需大幅修改機(jī)械與控制程序。

5. 典型應(yīng)用場景

邏輯、存儲(chǔ)芯片干法刻蝕工藝

ALD、CVD、PVD 薄膜沉積制程

化合物半導(dǎo)體、碳化硅器件制造

離子注入、清洗、退火設(shè)備工藝氣配比

優(yōu)良面板、光學(xué)薄膜氣相工藝